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J-GLOBAL ID：200902212404768408   整理番号：09A0446083

現像後検査用の先端技術

Advanced technology for after-develop inspection

著者 (10件)： CHEN ZY (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  CHOU IC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  YANG JH (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Wallas (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  CHANG Josh (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  CHEN Henry (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  NG Melvin (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  WU Meng-Che (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  PERRY-SULLIVAN Cathy (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  LI Mingwei (KLA-Tencor Corp., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7140  号： Pt.1  ページ： 71400Y.1-71400Y.6  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトレジスト堆積,露光,現像後のウエハに対して,歩留りや素子信頼度に影響する可能性のある微細な欠陥を同定するための現像後検査が行われる。広帯域深紫外線/紫外線/可視光明視野検査装置を用いた現像後検査の方法を示した。明視野検査装置には新しい照明及び検出開口部であるVIB(多様照明明視野)光学モードを実装した。VIB光学モードは前レベルの邪魔な欠陥を抑えて現在の層の関心欠陥に焦点を絞れる。本技術の性能が他の方法と比べて非常に優れていることを実証した。

シソーラス用語： *欠陥検査 ,  紫外線 ,  可視光 ,  *試験装置 ,  *半導体プロセス ,  回路パターン形成
準シソーラス用語： 深紫外線 ,  *検査装置

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 現像 ,  検査 ,  先端技術