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文献J-GLOBAL ID:200902212406199192整理番号:04A0094336

90-nm-node multi-level AG-AND type flash memory with cell size of true 2F2/bit and programming throughput of 10MB/s

真正2F2/ビットセルサイズ,10MB/sプログラミングスループットの90nmノードマルチレベルAG‐ANDタイプフラッシュメモリ

著者:SASAGO Y(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)、KURATA H(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)、ARIGANE T(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)・・・
資料名:Tech Dig Int Electron Devices Meet 巻:2003 ページ:823-826
発行年:2003年
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