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J-GLOBAL ID：200902212406199192   整理番号：04A0094336

真正2F²/ビットセルサイズ,10MB/sプログラミングスループットの90nmノードマルチレベルAG-ANDタイプフラッシュメモリ

90-nm-node multi-level AG-AND type flash memory with cell size of true 2F²/bit and programming throughput of 10MB/s

著者 (9件)： SASAGO Y (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KURATA H (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  ARIGANE T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OTSUGA K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  IKEDA Y (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  FUKUMURA T (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  NARUMI S (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  SATO A (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2003  ページ： 823-826  発行年： 2003年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のフラッシュメモリを開発した。このセルでは,アシストゲー...

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (10件)： 真正 ,  ビット ,  セルサイズ ,  プログラミング ,  スループット ,  ノード ,  マルチレベル ,  Ag ,  タイプ ,  フラッシュメモリ