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J-GLOBAL ID：200902212411551554   整理番号：07A0905657

エピ-GaNテンプレート上に堆積したZnO薄膜の堆積後の原子テラス成長

Post-deposition atomic terraces growth of ZnO thin films deposited on epi-GaN templates

著者 (5件)： OKATO Takeshi (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama, JPN) ,  SAKANO Tatsunori (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama, JPN) ,  OBARA Minoru (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama, JPN) ,  KAPPERS Menno J. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  BLAMIRE Mark G. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 253  号： 23  ページ： 9185-9190  発行年： 2007年09月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 複製可能な高品質ZnO膜を合成するために欠陥形成を防ぐ導きと...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  テンプレート ,  堆積 ,  ZnO薄膜 ,  原子 ,  テラス ,  成長