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文献J-GLOBAL ID:200902212416191211整理番号:05A0496390

Characterization of self-assembled InAs quantum dots with InAlAs/InGaAs strain-reduced layers by photoluminescence spectroscopy

InAlAs/InGaAs歪低減層を有する自己集合InAs量子ドットの光ルミネセンス分光による評価

著者:CHANG K. P.(National Chiao Tung Univ., Hsinchu,, TWN)、YANG S. L.(National Chiao Tung Univ., Hsinchu,, TWN)、CHUU D. S.(National Chiao Tung Univ., Hsinchu,, TWN)・・・
資料名:J Appl Phys 巻:97 号:8 ページ:083511.1-083511.4
発行年:2005年04月15日
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