文献

J-GLOBAL ID：200902212419050376   整理番号：09A0263564

その場形成されるナノ構造のInSb相を含む高品質のIn_xCe_yCo₄Sb₁₂から成る熱電材料

High performance In_xCe_yCo₄Sb₁₂ thermoelectric materials with in situ forming nanostructured InSb phase

著者 (4件)： LI Han (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN) ,  TANG Xinfeng (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN) ,  ZHANG Qingjie (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN) ,  UHER Ctirad (Dep. of Physics, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 10  ページ： 102114  発行年： 2009年03月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その場形成されるナノ構造のInSb相を含むn型スクッテルド鉱,In_xCe_yCo₄Sb₁₂,を溶融-急冷-アニーリング-スパークプラズマ焼結法によって合成した。Inをドーピングすると,スクッテルド鉱マトリックスの境界に均一に分布した結晶粒サイズが10~80nmのナノ構造を持つInSb相が形成されることが分かった。ナノ構造のInSb相はフォノン散乱に対して強い影響を及ぼし,In_xCe_yCo₄Sb₁₂の格子熱伝導度を大幅に低下させることが分かった。InおよびCeドーピングの結合効果によって,高品質のスクッテルド鉱材料が合成されることが分かった。In_0.2Ce_0.15Co₄Sb₁₂化合物について,800Kにおいて最高の熱電指数,ZT=1.43,が得られることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ナノ構造 ,  *アンチモン化インジウム ,  *インジウム化合物 ,  *セレン化合物 ,  *コバルト化合物 ,  *アンチモン化物 ,  *熱電材料 ,  N型半導体 ,  融解 ,  急冷 ,  焼なまし ,  放電焼結 ,  化学合成 ,  ドーピング ,  境界 ,  均一性 ,  結晶粒径 ,  フォノン ,  散乱 ,  熱伝導率 ,  結晶 ,  熱電効果 ,  指数 ,  放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： スパークプラズマ焼結 ,  スクッテルダイト型結晶

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ構造 ,  InSb ,  高品質 ,  熱電材料