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文献
J-GLOBAL ID:200902212420014383   整理番号:08A0280501

並列抵抗モデルに基づくReRAMの直流輸送の普遍的理解

Universal understanding of direct current transport properties of ReRAM based on a parallel resistance model
著者 (6件):
資料名:
巻: 23  号:ページ: 812-818  発行年: 2008年03月 
JST資料番号: D0987B  ISSN: 0884-2914  CODEN: JMREEE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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フィラメントと膜とを並列に組み合わせたモデルから,ランダムアクセス記憶素子の直流輸送特性を計算した。Pt/NiO/Ptを電極と組み合わせ,電気抵抗の温度依存性を計算した。電極の大きさが一万倍以上違う二つのケースで半導体(大電極),金属(小電極)の特性が判った。全抵抗がフィラメントと膜のうち低い値により制御されることが,半導体性,金属性やヒステリシスの現れる原因となる。
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分類 (2件):
分類
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記憶装置  ,  半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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