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J-GLOBAL ID：200902212437761808   整理番号：07A1131313

パルスレーザアニール処理による超低導電損失600V非パンチスルー絶遠ゲート型バイポーラトランジスタに関する実験的検討

Experimental Investigation of Pulsed-Laser-Annealed Ultralow-Conduction-Loss 600-V Nonpunchthrough Insulated-Gate Bipolar Transistors

著者 (7件)： OH Kwang-Hoon (Fairchild Korea Semiconductor, Bucheon, KOR) ,  LEE Seung Chul (Fairchild Korea Semiconductor, Bucheon, KOR) ,  KIM Eun-Taek (Fairchild Korea Semiconductor, Bucheon, KOR) ,  LEE Jong Hun (Fairchild Korea Semiconductor, Bucheon, KOR) ,  LEE Kyu-Hyun (Fairchild Korea Semiconductor, Bucheon, KOR) ,  KIM Soo-Seong (Fairchild Korea Semiconductor, Bucheon, KOR) ,  YUN Chongman (Fairchild Korea Semiconductor, Bucheon, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 54  号： 11  ページ： 3103-3106  発行年： 2007年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2重パルスレーザアニール処理プロセスを用いて,従来のプロセス...

シソーラス用語： パルスレーザ ,...
準シソーラス用語： 陽極

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ ,  アニール処理 ,  損失 ,  パンチスルー ,  ゲート ,  バイポーラトランジスタ ,  実験