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文献J-GLOBAL ID:200902212437761808整理番号:07A1131313

Experimental Investigation of Pulsed-Laser-Annealed Ultralow-Conduction-Loss 600-V Nonpunchthrough Insulated-Gate Bipolar Transistors

パルスレーザアニール処理による超低導電損失600V非パンチスルー絶遠ゲート型バイポーラトランジスタに関する実験的検討

著者:OH Kwang‐Hoon(Fairchild Korea Semiconductor, Bucheon, KOR)、LEE Seung Chul(Fairchild Korea Semiconductor, Bucheon, KOR)、KIM Eun‐Taek(Fairchild Korea Semiconductor, Bucheon, KOR)・・・
資料名:IEEE Trans Electron Devices 巻:54 号:11 ページ:3103-3106
発行年:2007年11月
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