{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:200902212438452337   整理番号:09A0458489

チャネルのホットキャリアストレスを与えた後の原子層堆積HfSiONゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに及ぼすHf濃度の影響

The Influence of Hf-Composition on Atomic Layer Deposition HfSiON Gated Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors after Channel-Hot-Carrier Stress
著者 (4件):
資料名:
巻: 48  号: 4,Issue 2  ページ: 04C009.1-04C009.4  発行年: 2009年04月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
異なる組成のハフニウムシリケート(HfSiON)を含む金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタを作製し,それらのホットキャリア注入(HCI)信頼性を調べた。実験結果から,原子送堆積(ALD)HfSiONゲートのHCI劣化はHf:Si=1:3のときに最小になることが明らかになった。さらに,実験結果は,酸化物にトラップされた電荷(ΔNot)の増加分はHf含有量に依存し,チャネルホットキャリアストレス(CHC)を与えた後の界面トラップのそれ(ΔNit)より約一桁大きい。ΔNit,ΔDitおよびΔNotを含む若干の重要な界面パラメータを電荷ポンピング(CP)技術によって特性化した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属-絶縁体-半導体構造  ,  トランジスタ 
引用文献 (14件):
もっと見る

前のページに戻る