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J-GLOBAL ID：200902212438611222   整理番号：08A0854896

MOCVDによるSi(111)基板への亀裂がないGaNエピタキシャル成長する為のバッファの最適化

Buffer optimization for crack-free GaN epitaxial layers grown on Si(111) substrate by MOCVD

著者 (5件)： ARSLAN Engin (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  OZTURK Mustafa K (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  TEKE Ali (Balikesir Univ., Balikesir, TUR) ,  OZCELIK Suleyman (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  OZBAY Ekmel (Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 41  号： 15  ページ： 155317,1-10  発行年： 2008年08月07日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告で我々は極めて滑らかで平坦な高品質のGaNと殆どクラックが存在しないGaN/Si(111)エピタキシに付いて報告する。300-500nmの厚みのHT-AlNバッファ層と700-950nmの厚みのAlGaNバッファ層のGaN層に及ぼす影響を調べた。単結晶GaN膜が成功裏にMOCVDにより成功裏にSi(111)に成長出来た。クラック無しの平坦なGaNが400nmのHT-AlNで得られた。結晶の品質とGaN層の表面形態は段階傾斜AlGaN層を挿入することにより著しく改善された。段階傾斜AlGaNの応力緩和も又層の厚みに依存することが分かった。400nmのHT-AlNと700nmのAlGaN中間層を持つサンプルBで最小の転位密度が観察された。このサンプルのバンドエッジ発光ピークのFWHMは58eVで,全てのサンプル中最高の光学的特性を示した。

シソーラス用語： *MOCVD ,  基板 ,  ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *バッファ層 ,  最適化 ,  窒化物 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  表面構造 ,  *転位密度 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 表面形態

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOCVD ,  Si ,  亀裂 ,  GaN ,  エピタキシャル成長 ,  バッファ ,  最適化