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文献J-GLOBAL ID:200902212438611222整理番号:08A0854896

Buffer optimization for crack-free GaN epitaxial layers grown on Si(111) substrate by MOCVD

MOCVDによるSi(111)基板への亀裂がないGaNエピタキシャル成長する為のバッファの最適化

著者:ARSLAN Engin(Bilkent Univ., Ankara, TUR)、OZTURK Mustafa K(Gazi Univ., Ankara, TUR)、TEKE Ali(Balikesir Univ., Balikesir, TUR)・・・
資料名:J Phys D 巻:41 号:15 ページ:155317,1-10
発行年:2008年08月07日
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