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J-GLOBAL ID：200902212445627053   整理番号：09A0153532

ホットワイヤ化学気相堆積法によるカーボンナノウォールの作製

Preparation of carbon nanowall by hot-wire CVD.

著者 (1件)： 伊藤貴司 (岐阜大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 78  号： 2  ページ： 154-158  発行年： 2009年02月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ホットワイヤ化学気相堆積法は,装置が簡便で装置コストが安い,ガス分解効率が高いなどの特徴をもった製膜方法で,ダイヤモンド薄膜やシリコン系薄膜,最近では酸化物薄膜やカーボンナノチューブの作製と,その適用範囲に広がりを見せている。この製膜法を,カーボンナノウォールの作製に適用し,その作製に成功した。カーボンナノウォールは,基板上に自立した数nm~数十nmの厚みのウォール状の構造を有し,電界電子放出素子など,その特徴を生かした応用が期待されている。本稿では,ホットワイヤ化学気相堆積法によるカーボンナノウォールの作製に関する研究成果を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *ナノ構造 ,  *電界放出 ,  バイアス ,  Ramanスペクトル ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *カーボンナノウォール ,  ホットワイヤ化学気相蒸着 ,  *触媒CVD

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (17件)：

• 1) Y. Ando, X. Zhao and M. Ohkohchi: Carbon 35, 153 (1997).
• 2) Y. Wu, P. Qiao, T. Chong and Z. Shen : Adv. Mater. 14, 64 (2002).
• 3) K.Nishimura,N.Jiang and A.Hiraki: IEICE Tarns.Electron E86-C, 821 (2003).
• 4) 堀勝, 平松美根男: 応用物理77, 406 (2008).
• 5) J. J. Wang, M. Y. Zhu, R. A. Outlaw, X. Zhao, D. M. Manos, B. C. Holloway and V. P. Mammana : Appl. Phys. Lett. 85, 1265 (2004).

タイトルに関連する用語 (4件)： ホットワイヤ ,  化学気相堆積 ,  カーボンナノウォール ,  作製