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J-GLOBAL ID：200902212450078084   整理番号：08A0703060

GeTe-Sb₂Te₃-Bi₂Te₃記録膜に対する過剰Sbの影響

Effect of excess Sb on GeTe-Sb₂Te₃-Bi₂Te₃ recording films

著者 (4件)： KUSADA Hideo (Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd., Osaka, JPN) ,  HOSAKA Tomiharu (Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd., Osaka, JPN) ,  KOJIMA Rei (Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd., Osaka, JPN) ,  YAMADA Noboru (Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd., Osaka, JPN)
資料名： Proceedings of the Symposium on Phase Change Optical Information Storage  (Proceedings of the Symposium on Phase Change Optical Information Storage)
巻： 18th  ページ： 32-37  発行年： 2006年 
JST資料番号： L1450A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeTe-Sb2Te3は,種々の再書込み可能な相変化光ディスクの光記録層として広く用いられている。最近著者らは,GeTe-(Sb/Bi)₂Te₃四元合金膜中に過剰Sbを加えることにより,Sb₂Te₃用のBi₂Te₃の代替量と過剰Sb濃度を選択することにより,結晶化速度と非晶質形成能力を精密に制御できることを見出した。GeTe-(Sb/Bi)₂Te₃薄膜の結晶化温度と光学定数を評価するための,ガラス基板試料を調整し,ディスク試料の温度に対する透過率,屈折率と吸収係数の過剰Sb依存性,オーバーライト特性,3種ディスクのパワー特性に対するオーバーライトジッタ,過剰Sb量を変化させたときのジッタ変化,及び結晶構造モデルなどを提出した。その結果,Sb₂Te₃のためのBi₂Te₃代替と過剰Sbの同時適用がGeTe-Sb₂Te₃偽二値系の相変化特性を効率的に制御できることを見出した。

シソーラス用語： *光ディスク ,  光学記録 ,  *記録材料 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  テルル化物 ,  アンチモン化合物 ,  ビスマス化合物 ,  アンチモン ,  オーバライト ,  ジッタ ,  結晶構造 ,  化学組成 ,  濃度依存性 ,  結晶化 ,  非晶質 ,  温度依存性 ,  光学定数
準シソーラス用語： GeTe ,  *相変化光ディスク

分類 (3件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： GeTe ,  Sb