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J-GLOBAL ID：200902212454305352   整理番号：09A0056386

陽電子消滅分光を用いた非晶質シリカの分子ふるい構造の解明

Exposing the Molecular Sieving Architecture of Amorphous Silica Using Positron Annihilation Spectroscopy

著者 (6件)： DUKE Mikel C. (Victoria Univ., Victoria, AUS) ,  PAS Steven J. (Monash Univ., Victoria, AUS) ,  PAS Steven J. (CSIRO, Victoria, AUS) ,  HILL Anita J. (CSIRO, Victoria, AUS) ,  LIN Y. S. (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  DINIZ DA COSTA Joao C. (Univ. Queensland, Queensland, AUS)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 18  号： 23  ページ： 3818-3826  発行年： 2008年12月08日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質シリカは,ゾルゲル法の反応条件および焼成条件により,そのポロシティと表面積が制御可能で,分子ふるいとしての応用が期待される。しかしながら,分子ふるいを実現するネットワーク構造の解明に関する研究はほとんどない。本研究では,陽電子消滅分光と窒素ガス吸着法を用い,非晶質シリカの分子ふるい構造の解明を行った。その結果,ポアサイズ分布は3,8および12Åに三つのピークを示した。焼成温度を高くするとポアサイズは大きくなる傾向が得られた。大きいポアはガスの透過性を,小さいポアは選択性を与えることが考えられ,小さいポアの径を小さくすることでH₂/CO₂選択性が向上することを明らかにした。

シソーラス用語： *分子ふるい ,  *非晶質 ,  陽電子消滅 ,  吸着等温式 ,  表面積 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  ゾル-ゲル法 ,  ネットワーク構造 ,  構造解析 ,  空隙率 ,  細孔径分布 ,  熱処理条件 ,  焼成 ,  透気性 ,  選択性 ,  水素 ,  二酸化炭素 ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ

分類 (1件)： 吸着剤  (YB03000W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 陽電子消滅 ,  分光 ,  非晶質シリカ ,  分子ふるい