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J-GLOBAL ID：200902212461726045   整理番号：03A0612135

化学蒸着によりホモエピタキシャル成長させ酸素を吸着させたNドープダイヤモンド(111)表面からの大面積電子放出

Broad area electron emission from oxygen absorbed homoepitaxially grown nitrogen (N)-doped chemical vapor deposited diamond (111) surface

著者 (6件)： YAMAGUCHI H (International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN) ,  MINE T (International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Y (International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN) ,  OKANO K (International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN) ,  YAMADA T (Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SAWABE A (Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 21  号： 4  ページ： 1730-1733  発行年： 2003年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロエレクトロニクス素子エンジニアリングの明解なビジョン...

シソーラス用語： エピタクシー ,...
準シソーラス用語： *陰極

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分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 化学蒸着 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  酸素 ,  吸着 ,  ドープ ,  ダイヤモンド ,  大面積 ,  電子放出