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文献J-GLOBAL ID:200902212467162968整理番号:03A0528090

High-power InGaAs-on-Si pin RF photodiodes

大パワーInGaAs‐on‐Si pin RFフォトダイオード

著者:TULCHINSKY D A(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)、WILLIAMS K J(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)、PAUCHARD A(Nova Crystals, Inc., CA, USA)・・・
資料名:Electron Lett 巻:39 号:14 ページ:1084-1086
発行年:2003年07月10日
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