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J-GLOBAL ID：200902212475164511   整理番号：09A0148834

6H-SiC(0001)上での均一な大面積グラフェン層の成長

Homogeneous large-area graphene layer growth on 6H-SiC(0001)

著者 (6件)： VIROJANADARA C. (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  SYVAEJARVI M. (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  YAKIMOVA R. (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JOHANSSON L. I. (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  ZAKHAROV A. A. (Lund Univ., Lund, SWE) ,  BALASUBRAMANIAN T. (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 78  号： 24  ページ： 245403.1-245403.6  発行年： 2008年12月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC(0001)上に均一な大面積グラフェン単層をex situで作製することに成功した。試料を系統的に研究し,同じウェファーから切り出し,その場加熱により調製した試料から得られた結果と比較した。グラフェンフレークの寸法がex situ法で作製いたフレークと比べて非常に小さいことを見出した。ex situ調製法を用いたときにより大きな均一グラフェン層が形成されることに対する可能な説明を議論した。異なるグラフェン厚さをもつように調製したex sisu試料から収集したマイクロ低速電子線回折像は回折像において明白な違いを示した。作製したグラフェンシートが非常に不活性であり,基板と層間の界面が非常に急激であることを見出した。グラフェン層内および上でも界面でも遊離したSiは検出できなかった。

シソーラス用語： *グラファイト ,  基板 ,  炭化ケイ素 ,  面積 ,  *半導体薄膜 ,  フレーク ,  *低速電子回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  *真空蒸着 ,  光電子スペクトル ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 大面積 ,  マイクロ低速電子線回折

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 6H-SiC ,  大面積 ,  グラフェン ,  成長