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J-GLOBAL ID：200902212479975123   整理番号：05A1007139

結晶性シリコン表面の不動態化品質に及ぼす非晶質炭化けい素層厚の効果

Effect of amorphous silicon carbide layer thickness on the passivation quality of crystalline silicon surface

著者 (5件)： FERRE R. (Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Politecnica de Catalunya, Gran Capita s/n, Modul C4, 08034 Barcelona, ESP) ,  MARTIN I. (Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Politecnica de Catalunya, Gran Capita s/n, Modul C4, 08034 Barcelona, ESP) ,  VETTER M. (Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Politecnica de Catalunya, Gran Capita s/n, Modul C4, 08034 Barcelona, ESP) ,  GARIN M. (Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Politecnica de Catalunya, Gran Capita s/n, Modul C4, 08034 Barcelona, ESP) ,  ALCUBILLA R. (Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Politecnica de Catalunya, Gran Capita s/n, Modul C4, 08034 Barcelona, ESP)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 87  号： 20  ページ： 202109-202109-3  発行年： 2005年11月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pドープした水素化非晶質炭化けい素[a-SiC<sub>x<...

シソーラス用語： 半導体 ,...
準シソーラス用語： 電荷密度

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶性シリコン ,  不動態化 ,  非晶質 ,  炭化けい素 ,  層厚