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J-GLOBAL ID：200902212484528178   整理番号：09A1072519

ドーパント深さプロフィールを考慮したV_T可変性評価用の新しい方法

A New Methodology for Evaluating V_T Variability Considering Dopant Depth Profile

著者 (9件)： PUTRA A.T. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TSUNOMURA T. (MIRAI-Selete) ,  NISHIDA A. (MIRAI-Selete) ,  KAMOHARA S. (MIRAI-Selete) ,  TAKEUCHI K. (MIRAI-Selete) ,  INABA S. (MIRAI-Selete) ,  TERADA K. (Hiroshima City Univ.) ,  HIRAMOTO T. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO T. (MIRAI-Selete)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2009  ページ： 96-97  発行年： 2009年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体素子の縮小が急速に進み,閾電圧の変動が大きな問題となっている。この論文では,ドーパント深さ分布という観点で閾電圧変動の新しい正規化係数を開発し,異なる深さ分布の4種類のチャネルドーパント(B,Sb,P,AS)のMOSFETの測定した変動データに適用した。データの測定には,SIMSと電圧測定による活性ドーパント分布を用いた。この正規化係数は一定の値を示し,この方法の正しさを検証した。しかし,Bのみはより大きな係数を示し,Bが他の変動性の原因を含むことを示した。

シソーラス用語： *ドーパント ,  *深さプロフィル ,  *電圧変動 ,  *正規化 ,  *係数 ,  チャネル ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  半導体素子 ,  ダウンサイジング ,  測定データ ,  二次イオン質量分析 ,  電圧測定 ,  ホウ素 ,  アンチモン ,  リン ,  ヒ素
準シソーラス用語： *閾値電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドーパント ,  深さプロフィール ,  VT ,  可変性 ,  評価