文献

J-GLOBAL ID：200902212485953468   整理番号：03A0506444

シリコンチップ上へのサブミクロン単一ダイヤモンド粒子の成長とその電界放出特性

Growth of a Sub-Micron Single Diamond Particle on a Silicon Tip and its Field Emission Characteristic

著者 (4件)： MIMURA H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YUAN G (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IKEDA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOKOO K (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 6B  ページ： 4048-4050  発行年： 2003年06月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波プラズマ増強化学蒸着法で成長させた標記ダイヤモンド...

シソーラス用語： *半導体チップ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0506444&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (17件)：

• 1) F. Himpsel, J. Knapp, J. VanVechten and D. Eastman: Phys. Rev. B 20 (1979) 624.
• 2) B. B. Pate, P. M. Stefan, C. Binns, P. J. Jupiter, M. L. Shek, I. Lindau and W. E. Spicer: J. Vac. Sci. Technol. 19 (1981) 349.
• 3) K. Okano, S. Koizumi, S. Silva and G. Amaratunga: Nature 381 (1996) 140.
• 4) K. Okano, S. Koizumi and J. Ito: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1068.
• 5) Y. Show, F. Matsuoka, M. Hayashi, H. Ito, M. Iwase and T. Izumi: J. Appl. Phys. 84 (1998) 6351.

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコンチップ ,  サブ ,  ダイヤモンド粒子 ,  成長 ,  電界放出