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J-GLOBAL ID：200902212494036273   整理番号：08A0938921

Siナノワイヤの格子熱伝導率 変化したフォノン状態密度の影響

Lattice thermal conductivity of Si nanowires: Effect of modified phonon density of states

著者 (1件)： LUE Xiang (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 5  ページ： 054314  発行年： 2008年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)の正方形断面積を持つナノワイヤ及び円筒状ナノワイヤのサイズ依存熱伝導率を調べた。この計算はフォノン閉じ込めによるフォノン状態密度及び群速度の変化を含んでいる。フォノンの状態密度及び群速度の減少はさらにSiナノワイヤの熱伝導率を減少させる。界面の反射パラメタの適当な値を選ぶことにより,Siの正方形断面積及び円筒状ナノワイヤの計算した熱伝導率はそれぞれ,分子動力学及び実験結果と良く一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *熱伝導率 ,  *フォノン ,  状態密度 ,  群速度 ,  表面散乱 ,  Boltzmann方程式 ,  サイズ効果 ,  半導体薄膜 ,  数値解析

分類 (2件)： 格子振動の熱的・統計的性質  (BL03050G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ナノワイヤ ,  格子熱伝導率 ,  フォノン状態密度