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J-GLOBAL ID：200902212494134399   整理番号：09A0502780

Raman分光法による炭素膜の特性評価

Characterization of carbon film by Raman spectroscopy

著者 (5件)： IQBAL Tahir (Univ. Gujrat, Gujrat, PAK) ,  SAJJAD Muhammad (Quaid-i-Azam Univ., Islamabad, PAK) ,  IMRAN Muhammad (Univ. Gujrat, Gujrat, PAK) ,  SADIQ Mehboob (National Tokamak Fusion Programme, Islamabad, PAK) ,  ZAKAULLAH Muhammad (Quaid-i-Azam Univ., Islamabad, PAK)
資料名： Radiation Effects and Defects in Solids  (Radiation Effects and Defects in Solids)
巻： 164  号： 3  ページ： 153-161  発行年： 2009年03月 
JST資料番号： A0224B  ISSN： 1042-0150  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低エネルギー(1.4kJ)のMather型密なプラズマ集束を用いて真空蒸着により非晶質炭素膜をSi基板上に作製した。グラファイトから5cm基板を離して作製した。蒸着方向(0°,8°,12°)を変えて得られた膜についてRamanスペクトルを測定した。その結果膜構造は,グラファイト型sp²構造とダイヤモンド型sp³構造から構成されていた。イオン照射をすると基板が膨潤し,表面粗さが大きくなった。

シソーラス用語： *真空蒸着 ,  *プラズマ加熱 ,  *非晶質半導体 ,  炭素 ,  グラファイト ,  Ramanスペクトル ,  *半導体薄膜 ,  イオン照射 ,  *照射損傷 ,  表面粗さ ,  炭素材 ,  非晶質
準シソーラス用語： *炭素膜 ,  非晶質炭素

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Raman分光法 ,  炭素膜 ,  特性評価