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J-GLOBAL ID：200902212507343294   整理番号：05A0084201

典型的な水平な長さ方向に沿ったMOCVDプロセスにおける基板の傾斜によるリターンフローの遅れた発生

Delayed onset of return flow by substrate inclination in model horizontal longitudinal MOCVD processes

著者 (4件)： KUO W S (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WANG C Y (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  TUH J L (Chin Min Inst. of Technol., Miaoli, TWN) ,  LIN T F (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 274  号： 1/2  ページ： 265-280  発行年： 2005年01月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水平の矩形管でのガスの混合した対流における基板の傾斜による浮...

シソーラス用語： *MOCVD ,...

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分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 長さ方向 ,  MOCVD ,  プロセス ,  リターン ,  フロー