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文献
J-GLOBAL ID:200902223378924180   整理番号:08A0137393

高品質エピタキシャル薄膜の作製・デバイス化 パルスレーザー堆積法による複酸化物薄膜のエピタキシー

著者 (1件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 6-14  発行年: 2008年02月05日 
JST資料番号: Y0021A  ISSN: 0286-4835  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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パルスレーザー堆積法では高融点な酸化物材料を容易に薄膜化できるため,高温超伝導材料,高・強誘電材料,巨大磁気抵抗材料,電界誘起抵抗変化材料など,多種多様な機能性酸化物材料の薄膜作製に広く用いられている。シンプルな装置構成で,だれにでも簡単に薄膜が得られることも大きな特徴である。本稿では,このように万能とさえ思われているパルスレーザー堆積法の実際を解説する。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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酸化物薄膜 

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