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J-GLOBAL ID：200902226188065015   整理番号：04A0698166

MBE法によるInAs量子ドットへのBe添加の影響

著者 (4件)： 熊谷直人 (東大 生産研 ナノエレクトロニクス連携研セ) ,  渡辺克之 (東大 生産研 ナノエレクトロニクス連携研セ) ,  塚本史郎 (東大 生産研 ナノエレクトロニクス連携研セ) ,  荒川泰彦 (東大 生産研 ナノエレクトロニクス連携研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 1  ページ： 268  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： MBE ,  InAs量子ドット ,  Be