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J-GLOBAL ID：200902233607041322   整理番号：09A0618420

SiC単結晶の研磨能率向上の試み

The trial of the improvement in polishing removal-rate of a single-crystal silicon carbide

著者 (4件)： 佐藤誠 (ノリタケカンパニーリミテド) ,  奥田和弘 (ノリタケカンパニーリミテド) ,  野田賢二 (ノリタケカンパニーリミテド) ,  野浪亨 (中京大)
資料名： 日本機械学会生産加工・工作機械部門講演会講演論文集
巻： 7th  ページ： 203-204  発行年： 2008年11月21日 
JST資料番号： L3643A  ISSN： 1348-3943  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC単結晶は次世代パワーデバイス用基板として注目を浴びているが,難加工材料の一つであり鏡面研磨加工においては大変長い加工時間を必要とし,加工コスト上昇の要因の一つとなっている。この加工コストを低減させるためには,鏡面研磨加工の高能率化(短時間加工化)が重要なポイントとなる。本研究では,砥粒と酸化剤との組合せによる高能率研磨の可能性をさぐった。その結果セリア研磨材と酸化剤との組合せが非常に高い研磨能率を発揮する事が判明した。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  単結晶 ,  *鏡面仕上 ,  砥粒 ,  *生産性向上 ,  酸化剤

分類 (2件)： 研削  (QC03000R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  単結晶 ,  研磨 ,  能率向上 ,  試み