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J-GLOBAL ID：200902235184389583   整理番号：06A0137840

エピタクシー4H-SiC Schottkyダイオードへの高線量の陽子および中性子照射の効果

Effect of heavy proton and neutron irradiations on epitaxial 4H-SiC Schottky diodes

著者 (11件)： SCIORTINO S. (Dep. Energetics, Florence, ITA) ,  SCIORTINO S. (INFN of Florence, Florence, ITA) ,  HARTJES F. (NIKHEF, Amsterdam, NLD) ,  LAGOMARSINO S. (Dep. Energetics, Florence, ITA) ,  LAGOMARSINO S. (INFN of Florence, Florence, ITA) ,  NAVA F. (Univ. Modena and Reggio Emilia, Modena, ITA) ,  BRIANZI M. (INFN of Florence, Florence, ITA) ,  CINDRO V. (Univ. Ljubljana, Ljubljana, SVN) ,  LANZIERI C. (Alenia Marconi Systems, Rome, ITA) ,  MOLL M. (CERN, Geneve, CHE) ,  VANNI P. (Univ. Modena and Reggio Emilia, Modena, ITA)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 552  号： 1-2  ページ： 138-145  発行年： 2005年10月21日 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタクシー ,  4H-SiC ,  Schottkyダイオード ,  線量 ,  陽子 ,  中性子照射