文献

J-GLOBAL ID：200902235292763912   整理番号：06A0059204

二酸化けい素層の蒸着に起因する多結晶シリコン薄膜での(111)ナノ双晶ラメラ状ヒロックの形成

Formation of (111) nanotwin lamellae hillocks in polycrystalline silicon thin films caused by deposition of silicon dioxide layer

著者 (2件)： IMAI Shigeki (System Solutions Planning Dep., Electronic Components & Devices, Sharp Corp., 2613-1, Ichinomoto-cho, Tenri, Nara ...) ,  FUJIMOTO Masayuki (Graduate School of Electronic Sci. and Technol., Shizuoka Univ., 3-5-1 Jyouhoku, Hamamatsu 432-8561, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 88  号： 2  ページ： 021912-021912-3  発行年： 2006年01月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマCVDを用いて,異なる温度でオルトけい酸テトラエチル...

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,...
準シソーラス用語： ヒロック

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0059204&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： TEOS

タイトルに関連する用語 (8件)： けい素層 ,  蒸着 ,  起因 ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  ナノ双晶 ,  ラメラ ,  ヒロック