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J-GLOBAL ID:200902237143325891   整理番号:06A0670920

正・負高電圧パルス型プラズマ利用イオン注入法によるSi含有DLC膜の作製と評価(II)-正パルスの波高値と耐熱性,摩擦摩耗特性-

Si-DLC Films using a Plasma Based Ion Implantation Technique with Positive-Negative High Voltage Pulses (II)-Effect of Positive Pulse Heights for Thermal Resistance, Friction and Wear-
著者 (4件):
資料名:
巻: 53  号:ページ: 641-646  発行年: 2006年08月15日 
JST資料番号: F0691A  ISSN: 0532-8799  CODEN: FOFUA2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  薄膜成長技術・装置 
引用文献 (8件):
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