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J-GLOBAL ID:200902244531669469   整理番号:08A0462765

液晶性フェニルターチオフェン誘導体を用いた溶液プロセスによる電界効果トランジスターの作製と評価

著者 (3件):
資料名:
巻: 88th  号:ページ: 592  発行年: 2008年03月12日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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室温で高次のスメクティック相を示す液晶性半導体2-アルキル-5-アルキルフェニルターチオフェン誘導体を合成し,スピンコート法により薄膜を作製したところ,数百マイクロメータを超える大きなドメインが形成された。熱酸化膜付シリコン基板上にこの液晶性薄膜を作製し,その上に金電極を蒸着して電界効果型トランジスターを作製したところ,良好なp型動作を示し,キャリア移動度は0.05cm2/Vs,on/off比は10000000に達した。(著者抄録)
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分類 (3件):
分類
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トランジスタ  ,  チオフェン  ,  その他の液晶 

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