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J-GLOBAL ID：200902244916462431   整理番号：09A0147146

ハイブリッド車用パワー半導体の動向

The trend of power semiconductors for Hybrid Electric Vehicles

著者 (3件)： 鷁頭政和 (富士電機デバイステクノロジー) ,  瀧浩志 (デンソー) ,  木村英樹 (東海大)
資料名： 電気学会自動車研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： VT-09  号： 10-25  ページ： 31-36  発行年： 2009年01月26日 
JST資料番号： L4570A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ハイブリッド車モータ駆動用パワー半導体の技術変遷,使用環境と要求事項,高信頼性技術,パワー半導体の冷却技術および新デバイスの技術動向調査の結果などについて述べる。ハイブリッド車モータ駆動用パワー半導体に用いられているIGBTの第一世代から第六世代までの進歩を概観した。第六世代は第一世代に比べてチップ面積で35%,損失は40%になっている。車載用に対する信頼性要求事項を産業用と比較対照させたが,産業用より格段に厳しい。パワー半導体の冷却技術について解説した。SiCとのヘテロジャンクションダイオード(HJD)形成や,究極のパワー半導体材料としてのダイヤモンド薄膜など新デバイスの動向を紹介した。

シソーラス用語： *ハイブリッド自動車 ,  *電動機駆動 ,  *半導体 ,  信頼性 ,  冷却 ,  IGBT ,  技術史 ,  エネルギー損失 ,  電気損失 ,  DLC膜 ,  炭化ケイ素 ,  ダイオード
準シソーラス用語： ヘテロジャンクションダイオード

分類 (3件)： 電気自動車  (QG07020B) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (22件)：

• 日経エレクトロニクス2007.12.3 p. 105-115(2007)
• マジュムダールゴーラブ・菊永敏之:「HEVインバータ用パワーモジュール技術」, H16年電気学会産業応用部門大会, pp. 150-153(2004)
• 西浦 彰・征矢野 伸・両角 朗:「ハイブリッド車用IGBTモジュール」, 富士時報, Vol.79, No.5 pp. 350-353(2006)
• 「自動車におけるパワーエレクトロニクス技術」, 電気学会技術報告, 第1106号 (2008)
• 藤平 龍彦・金田 裕和・久祢田 修一郎:「半導体の現状と展望」, 富士時報, Vol.78, No, 4 pp250-255(2005)

タイトルに関連する用語 (3件)： ハイブリッド車 ,  パワー半導体 ,  動向