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J-GLOBAL ID：200902258348215603   整理番号：06A0266776

原子レベルで平坦なエピタキシャルLaNiO₃薄膜の作製と物性評価

著者 (10件)： 坪内賢太 (東大 大学院) ,  大久保勇男 (東大 大学院) ,  組頭広志 (東大 大学院) ,  松本祐司 (東京工大 応用セラミックス研) ,  大西剛 (東大 物性研) ,  LIPPMAA Mikk (東大 物性研) ,  鯉沼秀臣 (物質・材料研究機構) ,  鯉沼秀臣 (JST-CREST) ,  鯉沼秀臣 (東大) ,  尾嶋正治 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 2  ページ： 643  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ランタン化合物 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子 ,  エピタキシャル ,  LaNiO3 ,  薄膜 ,  作製 ,  物性評価