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J-GLOBAL ID：200902259438990521   整理番号：09A0995257

シリコン原子空孔評価:試料への直接塗布によるP(VDF/TrFE)圧電薄膜の作成

著者 (8件)： 岡部和樹 (新潟大 大学院) ,  三本啓輔 (新潟大 大学院) ,  柳瀬隆志 (エムテーシー) ,  赤津光洋 (新潟大 大学院) ,  小野恭史 (富山大 機器分析セ) ,  根本祐一 (新潟大 大学院) ,  金田寛 (新潟大 物質量子セ) ,  後藤輝孝 (新潟大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 400  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *点欠陥 ,  高分子薄膜 ,  圧電体 ,  塗布 ,  *単結晶 ,  液相成長 ,  ホウ素 ,  ドーピング ,  共重合体 ,  軟化 ,  超音波応用計測 ,  *圧電気 ,  *フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体
準シソーラス用語： *VDF-TrFE

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  原子空孔 ,  評価 ,  試料 ,  VDF ,  圧電薄膜