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J-GLOBAL ID：200902263076208258   整理番号：05A0691317

高性能CNTトランジスタの可能性-作成プロセス及び電気特性-

Possibility of High-Performance CNT transistor-Fabrication Process and Electrical Characteristics-

著者 (5件)： OCHIAI Yukinori (NEC Corp, Tsukuba, JPN) ,  NIHEY Fumiyuki (NEC Corp, Tsukuba, JPN) ,  HIURA Hidefumi (NEC Corp, Tsukuba, JPN) ,  HONGO Hiroo (NEC Corp, Tsukuba, JPN) ,  ISHIDA Masahiko (NEC Corp, Tsukuba, JPN)
資料名： フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerene, Nanotubes General Symposium)
巻： 29th  ページ： 5  発行年： 2005年07月25日 
JST資料番号： L1472A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： LANS法

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分類 (3件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  CNT ,  トランジスタ ,  可能性 ,  プロセス ,  電気特性