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J-GLOBAL ID：200902273037966345   整理番号：03A0655050

超高密度デバイスのための相変化メモリトランジスタの可能性

著者 (4件)： 保坂純男 (群馬大 大学院工学研究科) ,  宮内邦之 (群馬大 大学院工学研究科) ,  田村拓郎 (群馬大 大学院工学研究科) ,  曽根逸人 (群馬大 大学院工学研究科)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 1  ページ： 152  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高密度 ,  相変化メモリ ,  トランジスタ ,  可能性