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J-GLOBAL ID：200902274705871056   整理番号：08A0943023

パルスレーザー堆積法による低濃度キャリアドープされた高移動度n型SrTiO₃薄膜の作製

著者 (6件)： 小塚裕介 (東大) ,  大西剛 (東大 物性研) ,  LIPPMAA M. (東大 物性研) ,  疋田育之 (東大) ,  HWANG H. Y. (東大) ,  HWANG H. Y. (JST)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 2  ページ： 510  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *チタン酸ストロンチウム ,  *N型半導体 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  ドーピング ,  キャリア ,  レーザ蒸着 ,  焼なまし ,  *Hall移動度 ,  タンタル酸塩 ,  ランタン化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  固溶体 ,  化学量論 ,  アルミン酸塩 ,  *パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザー堆積法 ,  低濃度 ,  キャリア ,  ドープ ,  高移動度 ,  薄膜 ,  作製