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J-GLOBAL ID：200902276388898914   整理番号：09A0995012

(775)B InP基板上にMBE成長した1.55um帯量子細線レーザの低温光学評価

著者 (4件)： 光成佳篤 (愛媛大 大学院) ,  今津晋二郎 (愛媛大 大学院) ,  松木豊和 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 318  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *基板 ,  *MBE成長 ,  *低温 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  半値幅 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *量子細線レーザ

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  MBE成長 ,  量子細線レーザ ,  低温 ,  光学 ,  評価