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J-GLOBAL ID：200902276641731703   整理番号：08A0333969

SiC単結晶研磨におけるヒドロキシルラジカルの影響

著者 (3件)： 佐藤誠 (ノリタケカンパニーリミテド) ,  蛭子博志 (名古屋工大) ,  野浪亨 (中京大)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2008  号： 春季(CD-ROM)  ページ： C22  発行年： 2008年03月03日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 超小形回路技術 ,  半導体プロセス ,  半導体材料 ,  化学研磨 ,  化成皮膜 ,  *炭化ケイ素 ,  単結晶 ,  ヒドロキシルラジカル ,  加工条件 ,  表面粗さ ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： CMP ,  *化学機械平坦化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  単結晶 ,  研磨 ,  ヒドロキシルラジカル