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{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:200902277696373314   整理番号:09A0424847

ゲート酸化膜のトラップがSOI MOSFETトンネル電流に与える影響の評価

著者 (5件):
資料名:
巻: 56th  号:ページ: 872  発行年: 2009年03月30日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の格子欠陥  ,  界面の電気的性質一般  ,  トランジスタ 

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