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J-GLOBAL ID：200902281578260332   整理番号：08A0341848

Bisphenol A測定用MIP薄膜修飾センサ作製法の検討

Study on the Preparation Method of Molecularly Imprinted Polymer Thin Layer Modified Sensor for the Determination of Bisphenol A

著者 (5件)： 横田宣之 (創価大 工) ,  阿弓佳央梨 (創価大 工) ,  中根優子 (創価大 工) ,  渕脇雄介 (創価大 工) ,  久保いづみ (創価大 工)
資料名： Chemical Sensors  (Chemical Sensors)
巻： 24  号： Supplement A  ページ： 85-87  発行年： 2008年03月29日 
JST資料番号： L3948A  CODEN： KAGSEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,さらにこれを発展させて,電極上にBPA用のMIP薄膜を形成させた修飾電極を作製し,電極と一体化させたBPAセンサの作製法について検討を行なった。MIPを10分,20分,30分の紫外線照射により重合したところ,どれも11P膜が形成されており,重合時間は10分以下で十分であることがわかった。10分重合したものの表面は,未反応物質などの洗浄前には金電極にみられた金粒子の凹凸が覆われたような形状が見られたが,これを洗浄すると,凹凸は洗浄前に比べて明瞭になってきていたものの,金電極のような大きさのそろった状態ではなく,表面にポリマーの層ができていることを示唆した。未修飾の金電極では,4度程度あった平均傾斜角がMIPを重合すると,5分,2分重合いずれも小さくなり,MIPが金粒子の谷を埋めるように重合されていることが示された。

シソーラス用語： *計測 ,  ケモカイン ,  タンパク質 ,  *薄膜 ,  *化学修飾 ,  *化学センサ ,  化学修飾電極 ,  紫外線照射 ,  洗浄 ,  金電極 ,  傾斜角 ,  重合 ,  フェノール類
準シソーラス用語： MIP【高分子】 ,  測定

分類 (2件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  化学プロセスの測定,監視,計装  (XC02030Y)

物質索引 (1件)： ビスフェノールA

引用文献 (2件)：

• 横田宣之, 横山紘幸, 渕脇雄介, 久保いづみ, Chemical Sensors, 23 sA, 55(2007)
• H. Sanbe, J. Haginaka, J. Pharmaceutical and Biomedical Analysis, 30, 1835(2002)

タイトルに関連する用語 (4件)： MIP ,  薄膜 ,  修飾 ,  作製法