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J-GLOBAL ID：200902284588748634   整理番号：09A0995492

Zn及びH₂Oを原料とする大気圧CVD法によるr面サファイア基板上へのZnO薄膜の成長(III)

著者 (9件)： 平良啓介 (愛媛大 大学院) ,  栗林聖介 (愛媛大 工) ,  束村将 (愛媛大 工) ,  藤原哲郎 (愛媛大 工) ,  宮田晃 (愛媛大 工) ,  寺迫智昭 (愛媛大 大学院) ,  谷口浩太 (詫間電波工高専) ,  矢木正和 (詫間電波工高専) ,  白方祥 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 485  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  化学蒸着 ,  基板 ,  サファイア ,  基板温度 ,  *光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  亜鉛 ,  水
準シソーラス用語： APCVD

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： Zn ,  H2O ,  原料 ,  大気圧 ,  CVD法 ,  サファイア基板 ,  ZnO薄膜 ,  成長