文献

J-GLOBAL ID：200902285309186067   整理番号：09A0995256

超音波によるB添加FZシリコンの原子空孔の電荷状態の研究

著者 (10件)： 永井勇太 (新潟大 大学院) ,  馬場正太郎 (新潟大 大学院) ,  赤津光洋 (新潟大 大学院) ,  小松悟 (新潟大 大学院) ,  渡邊肇 (新潟大 大学院) ,  三本啓輔 (新潟大 大学院) ,  小川貴史 (新潟大 大学院) ,  根本祐一 (新潟大 大学院) ,  金田寛 (新潟大 物質量子セ) ,  後藤輝孝 (新潟大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 399  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 浮遊融解 ,  融液成長 ,  *ケイ素 ,  *ホウ素 ,  *ドーピング ,  単結晶 ,  超音波応用計測 ,  *点欠陥 ,  *弾性係数 ,  磁場効果 ,  低温 ,  非破壊測定 ,  軟化

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超音波 ,  シリコン ,  原子空孔 ,  電荷状態 ,  研究