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J-GLOBAL ID：200902285887889755   整理番号：09A0810368

(100),(411)A面GaAs基板上のGaAsBi/GaAs超格子の光学的特性

著者 (3件)： 石川智貴 (愛大 院) ,  山口大輔 (愛大 院) ,  下村哲 (愛大 院)
資料名： 応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集  (日本物理学会中国支部・四国支部・応用物理学会中国四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集)
巻： 2009  ページ： 31  発行年： 2009年 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  ドーピング ,  ビスマス ,  *人工超格子 ,  *光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  低温 ,  MBE成長

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs基板 ,  GaAsBi ,  GaAs ,  超格子 ,  光学的特性