特許

J-GLOBAL ID：200903000107948851

酸化物超電導体製造用成形体,酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体

発明者： 吉川 雅章 ,  柳 陽介 ,  伊藤 佳孝 ,  岡 徹雄 ,  生田 博志 ,  水谷 宇一郎
出願人/特許権者： 株式会社イムラ材料開発研究所
代理人 (1件)： 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086091
公開番号（公開出願番号）：特開2001-270715
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】【課題】 成形体の全体が配向して酸化物超電導体となることができる酸化物超電導体製造用成形体,酸化物超電導体の製造方法及び上記成形体より得られる酸化物超電導体を提供すること。【解決手段】 加熱して部分溶融状態として酸化物超電導体を作製する際に使用する成形体1は,その頂面10の中央部11が頂面10の外周部12よりも突出した形状を有する。この成形体1を加熱して部分溶融状態となして徐冷して結晶化させることを特徴とする製造方法。また,この製造方法により製造されると共に,頂面が略平面状にある酸化物超電導体。

請求項（抜粋）：

酸化物超電導体原材料よりなる成形体を準備し,該成形体を加熱して部分溶融状態となし,その後,部分溶融状態にある成形体を徐冷して結晶化させることにより酸化物超電導体を作製する際に使用する上記成形体は,その頂面の中央部が頂面の外周部よりも突出した形状を有することを特徴とする酸化物超電導体製造用成形体。

IPC (3件)：

C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (3件)：

C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 B ,  H01L 39/24 ZAA B

Fターム (13件)：

4G047JA02 ,  4G047JC02 ,  4G047KB16 ,  4G047KB17 ,  4G047LB10 ,  4G077AA02 ,  4G077BC53 ,  4G077CD10 ,  4G077ED04 ,  4M113AC48 ,  4M113BA23 ,  4M113BA29 ,  4M113CA34