特許
J-GLOBAL ID：200903001384462601
磁場発生装置及び核磁気共鳴装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-322556
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129158
出願日： 2005年11月07日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
【課題】超伝導バルク体の中央部付近における均一磁場の範囲が広い磁場発生装置を提供し、それを用いてNMR信号のピーク幅が狭く高感度で高分解能を有する核磁気共鳴装置を提供することを課題とする。【解決手段】本発明の磁場発生装置は、真空容器内で超伝導遷移温度以下に冷却される中空円筒状の超伝導バルク体に磁場を捕捉させて超伝導バルク体の中空部に磁場を発生させる磁場発生装置において、前記超伝導バルク体は、この超伝導バルク体を軸方向に着磁したときに、軸方向中央部よりも臨界電流密度が高くなる領域が軸方向両端部側に形成されるように構成されていることを特徴とする。 例えば、超伝導バルク体201は2個の超伝導バルク体Sと1個の超伝導バルク体Gとからなり、超伝導バルク体SはSm系の超伝導バルク体であり、超伝導バルク体GはGd系の超伝導バルク体でる。Sm系はGd系に比べてそのイオン半径が大きいので臨界温度(Tc)が高く、同じ温度でも臨界電流密度(Jc)が高い。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
真空容器内で超伝導遷移温度以下に冷却される中空円筒状の超伝導バルク体に磁場を捕捉させて該超伝導バルク体の中空部に磁場を発生させる磁場発生装置において、
前記超伝導バルク体は、該超伝導バルク体を軸方向に着磁したときに、軸方向中央部よりも臨界電流密度が高くなる領域が軸方向両端部側に形成されるように構成されていることを特徴とする磁場発生装置。
IPC (3件)：
H01F 6/00
, H01F 7/20
, G01R 33/381
H01F7/22 H
, H01F7/20 C
, G01N24/06 510C
, G01N24/06 510D
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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