特許
J-GLOBAL ID：200903001620186726
偏極電子線発生素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239853
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094079
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 反射層と光共振器の光学的厚さの制御が困難な状況下において、高い偏極率と高い量子効率が得られる偏極電子線発生素子を提供する。【構成】 半導体多層膜反射層14をバッファ層16を介して半導体光電層18の裏側に設け、高い偏極率が得られる励起レーザ光20の波長域内において、共振によって大きな吸収率が得られる励起レーザ光20の共振波長が複数存在するように、半導体光電層18の表面から半導体多層膜反射層14までの距離を設定する。
請求項（抜粋）：
価電子帯にバンドスプリッティングを有してヘビーホールのサブバンドとライトホールのサブバンドにエネルギー準位差が生じた半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子において、前記半導体光電層を透過した前記励起光を反射することにより該半導体光電層の表面との間に該励起光を共振させる光共振器を構成する反射層を、該半導体光電層の裏側に設け、該半導体光電層の表面から該反射層までの距離を、前記両サブバンドのそれぞれのバンドギャップエネルギーに相当する前記励起光の波長の差の大きさよりも前記共振が発生し得る波長の間隔が短くなる長さに設定したことを特徴とする偏極電子線発生素子。
引用特許：
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