特許

J-GLOBAL ID：200903005599252417

偏極電子線発生素子

発明者： 坂 貴 ,  加藤 俊宏 ,  中西 彊 ,  堀中 博道
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-043204
公開番号（公開出願番号）：特開平6-231676
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 第1半導体を構成するp型のGaAs1-x Px 半導体の結晶性を高めて第2半導体をコヒーレントに成長し易くすることにより偏極電子線の偏極度を向上させる。【構成】 n型のGaAs1-x Px (01-x Px 半導体から成る第1半導体14を結晶成長させるとともに、その第1半導体14の上に、第1半導体14と格子定数が異なるp型のGaAs半導体を第2半導体16として結晶成長させた。第2半導体16は、格子歪みを有する状態で略コヒーレントに結晶成長させられるため、価電子帯にバンドスプリッティングが発生し、所定の光エネルギーを有する励起光が照射されることにより、スピン方向が一方に偏在した偏極電子線が励起される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の上に結晶成長させられたp型のGaAs1-x Px (01-y Py (y≠x)半導体から成る第2半導体とを備え、該第2半導体に励起光が入射されることによりスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子において、前記半導体基板をn型のGaAs1-x Px 半導体基板にて構成したことを特徴とする偏極電子線発生素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-186966
  
• 特開昭63-098108
  
• 特開昭63-140645
  
• 特開平4-255440