シリコンクラスター及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261238
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099349
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】荷電状態の制御が可能で電子デバイスとして十分に展開できるようにする。【解決手段】この発明のシリコンクラスターは、シリコン原子が多面体構造に配列し、その多面体構造の中に不純物原子を内包した構造を有し、電子授受能力を備えて荷電状態が制御可能であることを特徴としている【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン原子が多面体構造に配列し、その多面体構造の中にシリコン以外の元素の1個以上の不純物原子を内包した構造を有し、電子授受能力を備えて荷電状態が制御可能である、ことを特徴とするシリコンクラスター。

IPC (3件)：

C01B33/06 , B22F9/28 , C30B29/06

FI (3件)：

C01B33/06 , B22F9/28 Z , C30B29/06 A

Fターム (16件)：

4G072AA41 , 4G072AA50 , 4G072HH04 , 4G072JJ25 , 4G077AA01 , 4G077AA10 , 4G077BA04 , 4G077DA17 , 4G077DA20 , 4G077EB03 , 4G077HA20 , 4K017AA02 , 4K017BA10 , 4K017DA01 , 4K017EK03 , 4K017FB08

引用特許：

審査官引用 (1件)

クラスター及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-130158 出願人：工業技術院長, 金山敏彦, 日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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