特許
J-GLOBAL ID：200903012191112850
加工方法、半導体装置の製造方法、及び加工装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-189705
公開番号（公開出願番号）：特開2006-279081
出願日： 2006年07月10日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 基板上に形成された被加工膜の加工領域を選択的に加工する際、基板上にパーティクルが付着することを抑制する。【解決手段】 基板上での照射形状が前記加工領域より小さい第1の加工光110を、前記基板に対して相対的に走査させて前記加工領域の加工膜105,106の加工を選択的に行う工程と、前記加工領域内に第2の加工光112を照射して加工膜105,106の加工を選択的に行う工程とを含む。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
基板上に第1の膜を形成する工程と、
第1の膜上に第2の膜を形成する工程と、
基板に加工用エネルギー線を選択的に照射し、前記第2の膜を維持しつつ、前記第1の膜を気化させて、第1の膜の一部を除去或いは膜厚を減少させる加工を行う工程と、
を含むことを特徴とする加工方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046FA02
, 5F046FA16
, 5F046FC02
