特許
J-GLOBAL ID:200903015605228065

半導体装置およびその製造方法、位置合わせ用マーク、パターン形成方法・装置およびペースト

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-191320
公開番号(公開出願番号):特開2001-217273
出願日: 2000年06月26日
公開日(公表日): 2001年08月10日
要約:
【要約】【課題】B2 ITで必要となる、鋭利な先端を有し、高さの高いバンプを簡単なプロセスで形成すること。【解決手段】スクリーン印刷法によって回路層12上にバンプ141 を形成した後、バンプ141 上に磁石15を配置し、磁力によってバンプ141 を隆起させることによって、鋭利な先端を有し、高さの高いバンプ142 を形成すること。
請求項(抜粋):
磁性体を含むバンプを備えたことを特徴とする半導体装置。
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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