特許
J-GLOBAL ID：200903015704184304

成膜システム,パターン形成システム,及び半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 信一

伊藤 信一 について

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池上 浩

池上 浩 について

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東木 達彦

東木 達彦 について

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早坂 伸夫

早坂 伸夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-067305
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270488
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】エネルギー線照射領域近傍の損傷を抑制することができ、エネルギー線照射に伴う飛散物の発生を減少させること。【解決手段】被加工基板を1枚以上保持するキャリアステーションと、前記被加工基板主面に対して塗布膜形成用薬液を供給して前記被加工基板主面に塗布液薄膜を形成する塗布液薄膜形成手段と、該塗布液薄膜形成装置で形成された塗布液薄膜から溶剤を除去して塗布薄膜を形成する塗布薄膜形成手段と、液体供給手段から塗布薄膜表面に供給された流動性の液膜を介して、エネルギー照射器からエネルギー線を照射し、該塗布薄膜の一部を選択的に除去するレーザ加工手段と、前記キャリアステーション,塗布液薄膜形成手段,塗布薄膜形成手段,及びレーザ加工手段に接続され、前記半導体基板の搬送及び搬出を行う搬送手段とを具備する。
請求項（抜粋）：
被加工基板を1枚以上保持するキャリアステーションと、前記被加工基板主面に対して溶剤を含む塗布膜形成用薬液を供給して前記被加工基板主面に塗布液薄膜を形成する塗布液薄膜形成手段と、この塗布液薄膜形成手段で形成された塗布液薄膜中に含まれる溶剤を除去して塗布薄膜を形成する塗布薄膜形成手段と、液体供給手段から供給された流動性の液膜を介して、前記塗布薄膜主面側にエネルギー照射器からエネルギー線を照射し、前記被加工基板主面上の少なくとも塗布薄膜の一部を選択的に除去するレーザ加工手段と、前記キャリアステーション,塗布液薄膜形成手段,塗布薄膜形成手段,及びレーザ加工手段に接続され、前記被加工基板の搬送及び搬出を行う搬送手段とを具備してなることを特徴とする成膜システム。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/16 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/312
FI (7件)：
G03F 7/16 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/30 565 ,  H01L 21/30 520 B
Fターム (18件)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025EA04 ,  5F046CD01 ,  5F046CD05 ,  5F046EB01 ,  5F046FC02 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046PA01 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AC07 ,  5F058AC08 ,  5F058AF04 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH03
引用特許：
出願人引用 (10件)
  • 特開平4-354321
  • 特開平3-241831
  • 特開平1-179317
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審査官引用 (20件)
  • 特開平4-354321
  • 特開平4-354321
  • 特開平4-354321
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