特許
J-GLOBAL ID：200903016482945014
超電導磁場発生装置、超電導磁場発生装置の励磁方法、スパッタリング装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-172325
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351592
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】アーケード状の磁場分布が超電導体の前面に広く形成され、超電導体の前面においてプラズマを広く分布させることができ、スパッタリング装置に適用する場合であっても、ターゲットの使用効率を高めるのに有利な超電導磁場発生装置、超電導磁場発生装置の励磁方法、スパッタリング装置を提供するにある。【解決手段】超電導磁場発生装置は、超電導遷移温度以下に冷却され磁場を捕捉することにより外部に磁場を発する超電導体10と、超電導体10を冷却する冷却手段202と、超電導体10を収容する断熱容器30とを含む。超電導体10では、一方向に環流する超電導電流を有する第1領域1と、第1領域1と逆向きに環流する超電導電流を有する第2領域2とが、超電導体10の中心から外側に向かうに従い交互に存在している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
超電導遷移温度以下に冷却され磁場を捕捉することにより外部に磁場を発する超電導体と、前記超電導体を冷却する冷却手段と、前記超電導体を収容する断熱容器とを含む超電導磁場発生装置において、
前記超電導体は、一方向に環流する超電導電流を有する第1領域と、前記第1領域と逆向きに環流する超電導電流を有する第2領域とが、前記超電導体の中心から外側に向かうに従い交互に存在していることを特徴とする超電導磁場発生装置。
IPC (3件)：
H01F 6/00
, C23C 14/35
, H01F 6/06
H01F7/22 H
, C23C14/35 Z
, H01F5/08 B
4K029CA05
, 4K029DC39
, 4K029DC41
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
